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参数目录42421
> IRFH5220TR2PBF MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
型号:
IRFH5220TR2PBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRFH5220TR2PBF PDF
标准包装
1
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
99.9 毫欧 @ 5.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
5V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
30nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1380pF @ 50V
功率 - 最大
3.6W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-VQFN 裸露焊盘
供应商设备封装
PQFN(5x6)
包装
剪切带 (CT)
其它名称
IRFH5220TR2PBFCT
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